二、测量原理

搭载显微光谱干涉光学单元 + IR 红外对位相机，宽光谱光源经显微物镜聚焦至晶圆表面；薄膜 / 硅基底上下界面反射光形成干涉光谱，通过 FFT 多层拟合算法解析硅层、树脂层、介质膜厚度；内置 RθXY 高精度位移平台，配合红外图案匹配算位晶圆沟槽、TSV 布线图形，完成全域厚度云图扫描，全程非接触无损测量，不损伤镜面晶圆与图形芯片。

三、核心规格参数

1. 完整型号：GS-300

2. 适配晶圆：Φ300mm（12 寸）硅晶圆、TSV 嵌入式图形晶圆、SiC 大尺寸基板

3. 运动平台：RθXY 四轴电动载台，X-Y 重复定位精度≤2μm

4. 定位方式：槽口预对准 + 红外图案匹配双模式

5. 测量单元：显微光谱干涉测头 + 红外对位相机

6. 测厚范围：0.1μm ~ 1600μm（硅基底、树脂支撑层全覆盖）

7. 单点测量速度：≤1 秒，适配产线高吞吐量节拍

8. 整机尺寸：W475 × D555 × H1600mm，紧凑型立式机柜，占地极小

9. 集成方式：直接对接 300mm EFEM 备用 Load Port 端口，兼容标准晶圆自动传送机械手

10. 数据输出：彩色厚度云图、均匀性报表，支持对接工厂 MES 系统

四、核心产品优势

1. Load Port 原生兼容，无缝集成 300mm 晶圆自动化产线

可作为 EFEM 设备备用端口配套设备，晶圆经机械手自动传入 GS-300 完成检测后回流产线，无需离线上下料，省去人工转运，杜绝晶圆污染、磕碰风险，*匹配*晶圆厂全自动无尘制程。

2. 红外图案匹配，图形晶圆微区*对位

内置 IR 相机识别晶圆内嵌 TSV 布线、沟槽图形，支持图形区域定点厚度检测；搭配高精度 RθXY 载台，可完成整片晶圆全域 Mapping 扫描，输出厚度分布彩色云图，直观判断研磨均匀性、局部过薄 / 过厚缺陷。

3. 双模式晶圆预对准，适配各类工艺晶圆

同时支持槽口定位标准裸晶圆、图案匹配图形化 TSV 晶圆，兼容背面研磨、临时键合树脂层、薄硅片等多种工艺样品。

4. 紧凑型立式机柜，洁净车间省空间

整机窄幅立式设计，占地面积远低于离线台式膜厚仪，可直接放置 EFEM 侧边，不占用车间主通道，适配 Class1 无尘洁净车间环境。

5. 无损非接触检测，镜面晶圆零损伤

反射式显微光学光路，无机械探头接触，抛光镜面硅、薄减薄晶圆、软质树脂键合层无划痕、无形变，高价值芯片基板零损耗在线监控。

6. 量产级稳定，支持 JCSS 计量溯源

整机恒温防尘光路，7×24 小时连续量产运行无温漂、光漂；内置自动校准单元，周期性自校准保证长期测量精度，满足半导体工厂 ISO 品质追溯标准。

五、典型测量应用场景

1. 12 寸硅晶圆背面研磨后硅层全域厚度 Mapping（薄化制程闭环管控）

2. TSV 嵌入式图形晶圆沟槽、布线区域局部硅厚度检测

3. 晶圆临时键合树脂支撑层厚度均匀性测量

4. 300mm SiC 大尺寸功率基板研磨后厚度分布检测

5. 晶圆 CMP 抛光、背面减薄后整片厚度均匀性在线抽检

晶圆厚度云图测量示例

六、标准配置

1. GS-300 立式一体化测量机柜（触控操作屏、急停安全回路）

2. RθXY 高精度四轴电动晶圆载台

3. 显微光谱干涉测厚单元、红外图案对位相机

4. 晶圆自动传送对接接口（适配标准 EFEM 机械手）

5. Mapping 全域扫描分析软件、工业通讯模块

6. 标准硅校准片、原厂操作手册、出厂 JCSS 校准报告

七、可选拓展配件

1. 多通道光纤扩展单元：同步监测多层复合膜分层厚度

2. 真空适配模组：兼容真空腔体晶圆在线检测改造

3. 自动上下料机械手对接套件

4. 高低温晶圆适配工装，适配变温工艺样品