二、测量原理

设备输出宽波段偏振入射光，以设定角度斜入射样品薄膜表面；薄膜界面反射光偏振态发生相位与振幅变化，探测器采集偏振光谱信号，通过椭偏拟合算法解析 Ψ、Δ 椭偏参数，反向拟合计算薄膜厚度、光学常数、界面粗糙度、复合层结构，相比普通分光干涉膜厚仪，可解析极薄透明 / 半透明吸收膜、高折射率半导体薄膜，适配纳米级栅介质、外延层、二维材料等精密样品。

三、FE-5000 完整细分型号

1. FE-5000 台式标准型实验室离线台式机型，全自动多角度载台，光谱 190–1700nm，适配晶圆、玻璃基板研发检测，*解析 50 层复合薄膜。

2. FE-5000M 显微微区型搭载显微物镜，*小光斑 3μm，针对芯片图形、像素微区、微小器件局部薄膜测量，SiC/GaN 功率器件、Mini LED 。

3. FE-5000Inline 嵌入式产线型分体光纤式椭偏模组，可集成真空镀膜、薄膜沉积、晶圆自动化产线，实现 24 小时在线实时椭偏监测，对接 PLC/MES。

4. FE-5000UV 深紫外增强款强化 190–400nm 深紫外波段，薄栅氧化膜、极薄光刻胶、宽禁带半导体材料高精度表征。

四、核心规格通用参数

1. 光谱范围：190 nm ~ 1700 nm（深紫外 - 可见光 - 近红外全波段）

2. 测厚量程：0.1 nm ~ 100 μm

3. 测量角度：全自动 15°~90° 连续可调，支持多角同步采集

4. *小光斑：3μm（FE-5000M 显微款）；标准 1mm（基础款）

5. 解析层数：*支持 50 层复杂多层薄膜堆叠拟合

6. 重复精度：膜厚 ±0.01 nm，光学常数 n/k 精度 ±0.001

7. 通讯接口：LAN、USB、RS232、数字 IO（Inline 嵌入式款）

8. 样品适配：8/12 寸晶圆、玻璃基板、柔性薄膜、功率芯片、光学镜片

五、核心产品优势

1. 全波段椭偏检测，纳米级薄膜专属表征可测量 0.1nm 单分子级薄薄膜，适配 SiO₂栅氧化层、Al₂O₃钝化层、二维材料、薄外延层，普通干涉式膜厚仪无法*检测极薄吸收型薄膜。

2. 多维度光学参数同步输出不只测厚度，同步输出折射率 n、消光系数 k、光学带隙 Eg、界面粗糙度、膜层密度，满足半导体材料研发全套物性表征需求。

3. 双形态机型覆盖研发 + 量产场景台式机型供实验室研发、来料抽检；Inline 嵌入式分体模组直接集成真空成膜、涂布产线，实现制程实时闭环监控，无需离线取样。

4. 全自动智能拟合软件，复杂多层膜一键建模内置半导体、光学、高分子全套材料光学数据库，支持自定义 nk 色散模型，自动迭代拟合多层堆叠结构，大幅降低操作门槛。

5. 微区显微光路，图形化芯片*点位测量FE-5000M *小 3μm 光斑，可*定位芯片沟槽、像素、功率器件有源区，解决整片晶圆平均测量无法获取局部薄膜参数的痛点。

6. 工业级稳定光路，量产长期可靠整机恒温抗震防尘结构，嵌入式机型适配真空、高低温腔体环境，7×24 小时连续运行基线稳定，测量数据支持 JCSS 计量溯源。

六、可测量样品 / 工艺

1. 半导体晶圆：栅氧化层、SiN/HfO₂高 k 介质膜、光刻胶、SOI 外延层、SiC/GaN 钝化膜、金属栅极薄膜

2. 显示面板：OLED 有机发光层、ITO/IGZO 透明导电膜、PI 绝缘膜、光学补偿膜、薄封装涂层

3. 光学镀膜：AR/HR 增透 / 高反膜、多层光学滤光片、硬质 DLC 膜、红外光学涂层

4. 新能源光伏：钙钛矿薄膜、氮化硅钝化膜、透明导电氧化物 TCO、电池阻隔膜

5. 前沿材料：二维材料、纳米多层膜、高分子薄涂层、柔性电子功能膜

七、标准配置

1. FE-5000 系列椭偏仪主机（分光偏振光路 + 光源系统）

2. 全自动多角度旋转样品载台（台式款）/ 光纤测头模组（Inline 嵌入式款）

3. 显微物镜组（M 微区款选配）

4. *椭偏拟合分析软件、通讯数据线、标准校准片

5. 原厂操作手册、JCSS 出厂计量校准报告

八、可选拓展配件

真空腔体集成法兰、高低温样品台、300mm 大尺寸晶圆载台、偏振测试模块、多路光纤分束单元、产线 MES 对接通讯扩展卡

九、典型应用领域

*半导体研发实验室、SiC/GaN 功率器件产线、OLED/Mini LED 显示研发中心、光伏钙钛矿材料研究、精密光学镀膜企业、高校材料理化实验室