半导体刻蚀、CVD 化学气相沉积、PVD 物理镀膜是芯片制造三大核心工艺，真空系统的匹配度直接决定晶圆良率、设备稼动率以及维护成本。选错泵型，易出现腔体污染、腐蚀穿孔、抽速不足、粉尘堆积、检漏灵敏度不够等一系列产线故障。

日本 ULVAC 爱发科作为综合性真空大厂，完整覆盖粗真空、中真空、高真空、高真空全区间设备。本文结合刻蚀、CVD、镀膜不同工艺尾气、粉尘、腐蚀性介质特点，对干式真空泵、涡轮分子泵、低温泵、氦质谱检漏仪做场景化选型梳理，为产线搭建、设备改造、新项目选型提供参考。

一、干式真空泵：刻蚀、CVD 的前级排气主力

干泵作为腔体前级泵，承担从大气抽到中真空的基础排气任务，是整套真空系统的 “动力心脏”。不同工艺产生的卤素气体、粉尘、副产物，是选型*判断依据。

1.LS 系列螺杆干泵

适用：普通 CVD、非强腐蚀刻蚀、PVD 腔体排气，7×24 小时量产产线。

特点：大抽速，转子齿形优化，节能运行，耐受工艺粉尘颗粒，适合硅基 8/12 英寸量产产线。

注意：不适合大量卤素、氯化氢强腐蚀尾气工况，强腐蚀场景优先升级 MS/VS 防腐系列。

2.MS / VS 耐腐蚀螺杆干泵

适用：干法刻蚀、MOCVD、第三代半导体 SiC/GaN 产线，处理 HCl、氟化物、卤素等腐蚀性工艺气体，伴随粉末副产物工况。

特点：腔体、转子做特种防腐涂层，强化排粉能力，减少粉尘卡泵风险，大幅延长保养周期，是化合物半导体产线的刚需机型。

3.LR 多级罗茨干泵

适用：Load‑Lock 负载锁腔体预抽、PVD 镀膜腔体粗抽、检测设备前级真空。

特点：风冷机型，体积紧凑，适合无强腐蚀气体环境，多用于传输腔、预处理腔体，不适合大量粉尘与强腐蚀尾气。

4.CR 风冷螺杆干泵

适用：研发中试线、设备集成工位，现场无冷却水条件。

特点：无需外接冷却水，安装灵活，运维简单，更偏向中小产能、间歇运行场景，不建议作为大产能刻蚀 CVD 主排气泵。

选型提醒：刻蚀、CVD 会生成粉末、腐蚀性副产物，优先确认气体成分；有卤素、氯化氢，选用防腐版本，普通干泵短期就会发生腐蚀损坏。