MP 调制脉冲电离技术融合高频正弦波与调制脉冲输出,降低正负离子复合损耗,消电速度快;支持近距离贴近晶圆基材使用,*小安装距离 150mm;输出电压、脉冲频率、离子平衡均可精细化调节,适配不同静电敏感元器件;脉冲调节区间 1‑33Hz。
高洁净可更换单晶硅电极采用单晶硅放电电极,有效规避金属析出污染风险,可实现纳米级微粒管控;电极支持快速旋转拆装更换,维护作业简单,无需拆解整根风棒;5635M‑MP 版本整机无外露金属部件,适配对金属污染零容忍的特殊腔体工况。棒长 600mm 以内电极喷嘴默认 50mm 密排布置,离子覆盖均匀。
自动离子平衡,低电位摆幅内置自动平衡控制电路,正常工况离子平衡稳定<±20V;电位摆幅小,近距离使用时,降低晶圆、芯片器件遭受过压损伤风险;整机自带故障报警信号输出,可对接设备 PLC 实现状态监控与联锁。
辅助吹气拓展工况可接入洁净干燥压缩空气或者氮气做吹气辅助,提升远距离除静电能力,进一步加快消电速度;气源介质必须满足车间高洁净要求。
设备集成友好设计24VDC 供电,搭配外置控制器;支持软件远程参数整定;棒长覆盖 450‑2350mm 多档规格;接口集中布置,方便自动化设备布线集成。
型号:AeroBar®5635 MP(含 5635M‑MP 无金属版本)
供电:24VDC±10%,* 0.7A
*高压输出:13.5kV 峰峰值,连续可调
脉冲频率:1‑33Hz 可调,出厂默认 5Hz
离子平衡:自动平衡,可控工况<±20V
有效工作距离:150‑1000mm
放电电极:可更换单晶硅电极
喷嘴间距:50mm、75mm;≤600mm 棒长仅 50mm
棒体标准长度:450‑2350mm 多规格
控制方式:外置控制器,软件参数调试,远程告警 IO 输出
使用气源:CDA 洁净干燥压缩空气、氮气(辅助吹气选配)
使用环境:半导体洁净车间、EFEM、设备腔体内部
半导体 EFEM 设备、晶圆传送腔体、Load‑Lock 周边,*制程晶圆静电消除。
芯片封装、探针台,对金属污染、微粒管控严苛的工艺工位。
面板高端制程,高洁净等级腔体内部基板除静电。
各类精密自动化设备,允许近距离安装,对残余电压、微粒析出指标要求高的洁净工位。
单晶硅电极质地脆,拆装维护避免磕碰撞击,定期清洁电极*,粉尘堆积会劣化离子平衡与消电效率。
5635M‑MP 为无金属特殊版本,采购时区分普通 5635MP 与 M 版本,不能直接互换。
辅助吹气气源必须经过充分过滤干燥,油气杂质会污染电极,引入微粒污染。
该型号无内置闭环反馈,如需<±5V 高精度离子平衡,选用 5645 带反馈版本。
| 电压 | 输入:24VDC±10%电源输入,RJ-45接口;0.7A(*) 输出:13.5kVpp(*),可调 |
|---|---|
| 释放 | 在无气辅的情况下,电压可在 15 秒内波动 ±1000-100V(典型值),在发射极中心点下方 24 英寸处峰峰值摆幅为 80V。 |
| 平衡 | 在受控环境下,距离18英寸处测得电压小于±35V。 |
| 离子发射 | 调制脉冲(MP)技术 |
| 发射器 | ISO 14644-1 1级单晶硅 |
| 洁净室等级 | 使用 45-50% 的输出电压设置和带有单晶硅发射器的 OpenJet 喷嘴,可达到 ISO 14644-1(0.1 μm 颗粒)和扩展 ISO 1 级洁净度(10 nm 颗粒或纳米颗粒)标准。 |
| 方面 | 3.1英寸高 x 1.3英寸宽 x .3 / 45.3 / 51.2 / 57.1 / 63.0 / 69.0 / 74.8 / 80.7 / 86.6 / 92.5英寸长(7.8 x 3.4 x 45 / 60 / 85 / 100 / 115 / 130 / 145 / 160 / 175 / 190 / 205 / 220 / 235 厘米) |
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AeroBar®5635 MP 属于调制脉冲 MP 技术洁净离子风棒,专为半导体*制程开发,分为标准版 5635MP 与无金属 5635M‑MP 版本,搭载可更换单晶硅发射电极,主打低微粒析出、近距离安装、自动离子平衡,适配晶圆、EFEM、真空腔体周边等高严苛洁净工位。