ULVAC爱发科进口现货校准泄漏装置CLC

ULVAC爱发科进口现货校准泄漏装置CLC

‌核心产品体系与技术特征‌

‌真空泵系列（G系列 / PST系列 / DAT系列）‌

‌油旋片真空泵‌（如 ‌G-101S、G-101D‌）：适用于中真空环境，耐粉尘与水蒸气，广泛用于镀膜前级抽气；

‌干式真空泵‌（如 ‌DAT-100S、VSN7501‌）：无油设计，减少油蒸气反流，满足半导体级洁净要求，可耐受HF、Cl₂等腐蚀性气体；

‌涡轮分子泵‌（如 ‌PST-110AU‌）：真空达10⁻⁸ Pa，用于高纯度PVD/CVD腔体，支持快速排气与低振动运行；

‌螺杆真空泵‌（如 ‌LS120A-L‌）：大抽速（120 m³/h），适用于连续式镀膜线与大型真空系统，运行噪音低、维护周期长。

泵型均支持‌远程监控与IO-Link通信‌，可实时上传压力、温度、运行时长至MES系统，实现预测性维护。

‌物理气相沉积（PVD）设备系列‌

ULVAC的PVD系统以‌磁控溅射‌为核心，广泛用于金属、合金、氧化物、透明导电膜（如ITO）的精度沉积：

‌CS-200Z 多靶磁控溅射系统‌：支持2–8英寸基板，兼容向上/向下溅射，配备负载锁定功能，适用于半导体互连层、LED电极、触控屏导电膜；

‌EBA/SZ系列间歇式镀膜设备‌：电阻加热与磁控溅射双模式，适用于PCB、ABS塑料、光学镜片的装饰性与功能性镀膜；

‌SMV-500F 用溅射系统‌：为PCB互连基板（Ti/Cu种子层）设计，实现亚微米级均匀沉积；

‌Ei-5 电子束蒸发系统‌：支持金属（Al、Au）与氧化物（SiO₂）蒸发，真空≤3×10⁻⁵ Pa，膜厚均匀性±5%，用于光学镀膜与微电子封装。

‌化学气相沉积（CVD）与等离子体处理系统‌

‌CC-200 负载锁定等离子CVD系统‌：为OLED封装、MEMS保护膜设计，沉积SiNₓ、SiO₂薄膜，膜层致密性高、针孔率低；

‌ULHITETM NE-7800H 高密度等离子刻蚀机‌：采用ICP（电感耦合等离子体）技术，刻蚀速率高、选择比好，用于半导体深沟槽刻蚀、OLED像素隔离；

‌NE-5700 干法刻蚀系统‌：量产机型，支持多种气体组合（CF₄、SF₆、Cl₂），广泛用于晶圆制造中的金属与介质层刻蚀。