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团队开发出面向侵入式脑机接口的高能效无线能量接收芯片

来源: 上海自动化仪表九厂(原上海自动化仪表有限公司) >> 进入该公司展台 2026/04/27 16:24:17 已浏览:
导读:团队开发出面向侵入式脑机接口的高能效无线能量接收芯片

近日,南京大学电子科学与工程学施毅教授/邱浩副教授团队在无线能量传输技术的研究取得重要进展。

  侵入式脑机接口需长期工作于人体内部,
www.shybdj6.net受限于生物安全性与密闭生理环境,设备无法依赖物理导线供电,必须采用无线供能技术。同时,其紧凑的封装结构严重制约了散热能力,芯片功耗转化的热量若无法及时导出,不仅会导致电路性能衰退,还可能引发器件失效甚至周围组织热损伤。因此,*限度提升能量转换效率、降低自身热耗散成为电源管理设计的核心诉求。在此背景下,单级可调压双输出整流技术因能兼顾微型化体积与高能效,被视为实现侵入式设备长效、安全供能的理想方案,近年来备受学界关注。

  然而,该技术目前仍面临三大挑战:一是传统架构多采用时分复用或半波整流,有效充电窗口受限,致使输出功率与转换效率偏低;二是多路输出难以实现独立*稳压,现有拓扑常因电压耦合或滞回控制失配导致纹波标;三是普遍依赖PMOS有源二极管,其显著的导通与开关损耗在微型侵入场景下易引发局部发热,降低系统可靠性。因此,
上海自仪九厂如何在严苛的体积与热约束下,同时实现高能量转换效率、低输出纹波、双路独立稳压整流,已成为突破侵入式脑机接口长效、安全供能的核心难题。

  针对上述问题,研究团队提出了一种*高效率单级双输出稳压整流器拓扑,可在半周期内同时为双输出进行充电,突破了传统设计中时间复用模式的限制,显著提升负载功率、供电电压质量和能量转换效率。进一步,提出的创*电荷分配模式,能够有效缓解双输出负载条件失衡导致问题,通过自适应优化多输出端间电荷分配,有效拓宽了额定输出电流范围,显著提升了电路的稳定性和适应性。

  该芯片采用0.18 μm
/www.shsaic.net/ CMOS工艺进行了流片验证,实测结果表明,测试结果表明:在稳态情况下,实现了92.2%的峰值效率和1、WWW.shyb118.com1mW的峰值负载功率,双输出电压分别稳定在3.3V和1.6V,对应的*纹波电压控制在50mV和75mV;在大负载切换(×15)情况下,实现高速响应的同时避免了双输出之间的耦合干扰。多个核心指标刷新了国际报道相关工作的*记录。

  相关成果于04月16日以“A 6.78-MHz single-stage regulating rectifier with dual outputs simultaneously charged i
www.shhzy3.cn/n a half cycle achieving 92.2 % efficiency and 131/www.shzy4.com mW output power”为题在线发表于集成电路顶刊IEEE Journal of Solid-State Circuits (JSSC)。电子科学与工程学2024级博士生庄泉荣是论文的*作者,邱浩副教授和施毅教授是论文的共同通讯作者,IBM托马斯∙J∙沃森研究中心的张信研究员对该工作进行了指导。研究得到了*自然科学基金重点项目、首批海外优青项目、面上项目、创新研究群体项目等的资助,以及光电材料与芯片技术教育部工程中心、未来智能芯片交叉研究中心的支持。

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