SPARK闪光 TTT-02-Kerr Microscope 磁光克尔综合测试平台   

自旋电子学经过数十年的发展，从传感器，到非易失性磁存储，再到新材料的特性研究，自旋电子学是当前科学研究的热点，也被工业界重视。磁畴的直接观测与记录，对于材料的研究有着重要的意义;对磁畴运动过程的剖析，不仅直观的展现了磁性翻转，而且有助于分析物理过程的机理。

产品详情

 相较于传统的单点磁滞回线测量仪，磁光克尔综合测试平台，可以追踪平面内数百万点的实时磁性动态信息。结合该测试平台提供的直流探针，高频探针，样品的测试便捷。当下自旋电子学或磁学的研究，已经由磁性驱动的翻转，发展到了直流电流驱动、脉冲电流驱动、微波脉冲驱动、光驱动等一系列的激励源作用下的深度研究。

      闪光科技为您提供的标准系统按照性能优先，稳定性优先的设计思路，可以满足实验室研究及工业生产中各种相关材料的测试需求。标准设备中提供了磁场激励、电流激励等多种选项，是客户在自旋特性研究中的得力测试平台。

TTT-02-Kerr Microscope 系统的典型测试结果

模组介绍

应用示例

垂直磁各向异性薄膜显微磁畴测量（铁磁性/亚铁磁性薄膜磁畴翻转）

(a)为样品 Ta(4 nm)/CoFeB (0.7 nm)/MgO(2 nm)/Ta(2 nm)在磁场的驱动实现磁畴运动和翻转，树枝状磁畴，磁矩“1”和“0”信息状态清晰可见。彩色环带表示磁畴壁，白色小箭头表示的是奈尔畴壁中磁矩方向，表示磁畴运动方向。

(b)为样品 CoTb(6 nm)/SiN(4 nm)在零磁场附近出现迷宫畴以及孤立斯格明子磁泡结构(Skyrmions Bubble)，图中单个稳定的 Skyrmions Bubble 的尺寸为 1μm。为研究基于 SK-RM赛道存储器提供光学无损伤探测支持。

面内磁各向异性薄膜显微磁畴测量

(a)面内磁各向异性样品，纵向-磁光克尔测试装置示意图。

(b)为样品 Pt(4 nm)/Co (5 nm)/Ta(2 nm)在磁场的驱动实现磁畴运动和翻转，磁矩“1”和“0”信息状态清晰可见。

(c)为样品的磁滞回线，纵坐标为归一化的磁光克尔信号，横坐标为面内扫描磁场。

 

二维磁性材料的自旋特性研究

 

二维铁磁材料的发现为基础物理和下一代自旋电子学打开了大门，其单晶层状结构给磁性表征带来了挑战，磁光克尔效应是表征其磁畴状态的技术手段。

 

 

图为 120K 下二维磁性材料 CrTe2在磁场驱动下实现翻转，发现不同层数 CrTe2 的矫顽力场(Hc)存在较大差异。

 

 

TTT-02-Kerr Microscope兼容低温，覆盖 5K-500K 范围的样品测试环境。

 

电流驱动的磁性翻转

(a) FePt(10 nm)样品电输运表征与磁光克尔实现同步测试装置示意图。

(b)和(c)电流驱动磁矩翻转和磁畴运动。沿 FePt 薄膜生长方向出现分层，呈现阶段式翻转，如同神经突触收到多个阈值信息产生信息传递。

施加不同方向辅助场 Hx，样品磁畴翻转极性发生转变，如上图(b)所示。

磁畴成像辅助测量，有助于实现多角度解释电输运信号中的反常信号，以及阈值电流下的磁畴取向与状态。

 

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