化学气相沉积装置CVD与气体质量流量混合和控制的关系

CVD装置需要用到稳定的控制气体的流量进气量，因此气体质量流量控制器的选择就很关键，需要与整套装置包括热分解反应、化学合成反应以及化学传输反应等集中控制。

在当代，微型电子学元器件中越来越多的使用*非晶态材料，因此化学气相沉积法在半导体工业中有着比较广泛的应用。化学气相沉积是一种化工技术，该技术主要是利用含有薄膜元素的一种或几种气相化合物或单质、在衬底表面上进行化学反应生成薄膜的方法。在中温或高温下，通过气态的初始化合物之间的气相化学反应而形成固体物质沉积在基体上。化学气相沉积是含有薄膜所需要的原子和分子的化学物质在反应室内混合并在气态下发生反应，其原子或分子沉积在晶片表面聚集形成薄膜的过程。

化学气相沉积装置主要包含四部分，即反应室、加热系统、供反应气体系统、反应后气体处理系统。在化学气相沉积过程中，为了在晶片表面形成厚度均匀、质量较佳的薄膜，必须使得反应气体均匀的到达晶片表面，CVD装置供反应气体由原料气体、氧化剂气体、还原剂气体以及将反应气体输送至反应室中的载带气体组成。原料气体可由气相、液相及固相三种形态提供。气体可直接送入反应室中。气体流量控制可使用质量流量计或针阀来实现。