山金直销 JEOL日本电子 BS-60310BDS 轰击蒸发源

特征
将电子束照射到填充有沉积材料的衬垫背面，通过电子轰击加热衬垫。
电子束并非直接作用于沉积材料。这种间接加热方式具有以下优点：
薄膜沉积过程中不会发生背散射电子损伤或X射线损伤。
即使对于在传统电子束沉积中容易发生飞溅的沉积材料，飞溅现象也会得到抑制，从而可以沉积出低缺陷薄膜。
即使对于在传统电子束沉积中容易发生飞溅的沉积材料，飞溅现象也会得到抑制，从而可以沉积出低缺陷薄膜。
由于采用间接加热，即使是用电子束照射会分解的气相沉积材料也不会分解或发生成分变化。
由于气相沉积材料没有分解，因此光吸收率很低。
由于采用电子束间接加热，因此可以控制加热速率。与电阻加热相比，这种方法能够实现更稳定的薄膜沉积。
博姆巴德间接加热原理
用电子束照射填充有沉积材料的衬里，以间接加热并蒸发沉积材料。
利用轰击法加热的原理（概念图）
无损伤气相沉积——X射线和背散射电子的影响——
通过覆盖周围区域，可以防止反向散射电子和X射线到达基材。X
射线穿过衬垫和覆盖层后，剂量降低到十万分以下。

无损伤气相沉积——背散射电子测量结果——
钨材料在-6 kV的加速电压和100 mA的发射电流下进行辐照。
通过当时流经基板圆顶的电流来评估反向散射电子的数量。
使用标准电子束探测器（EB）测量了背散射电子引起的电流。
使用BS-60310BDS时，通过覆盖探测器，背散射电子的数量低于测量限值。
薄膜形成过程中未发生背散射电子损伤。
背散射电子测量结果
加速电压：6 kV，发射电流：0.1 A，靶材：钨，蒸发器：1300 型
低缺陷薄膜沉积
在传统的真空室（EB）中，水冷坩埚会阻碍沉积材料与坩埚接触时达到*温度，从而导致未溶解区域。BS
-60310BDS采用间接加热方式，确保内衬温度较高，并消除与沉积材料接触时的未溶解区域。
此外，沉积材料受热相对均匀，避免了未溶解材料引起的飞溅。
而且，间接加热方式还能防止沉积材料温度快速升高，从而抑制飞溅的形成。
因此，可以沉积出缺陷较少的薄膜。
在传统的电子束沉积中，当沉积MgF2时，在图中圈出的区域观察到6至22μm的凸起，但使用BS-60310BDS时没有出现凸起缺陷。
MgF2沉积过程中飞溅情况的比较
76 mm × 76 mm 白色玻璃板，TS 距离 1.1 m，薄膜厚度 150 nm
光学薄膜制造实例（降低吸收）
使用 BS-60310BDS 沉积MgF2和YF3等氟化物气相沉积材料时，证实了紫外区域的吸收减少。
因为这是一种间接加热方式，它不会用电子束直接照射沉积材料。
抑制了由蒸汽束和电子束干涉引起的解离。
气相沉积材料的颜色在沉积前后保持不变。气相沉积材料的分解和成分变化受到抑制。
MgF2溶解痕迹和紫外光谱特性
我们已证实紫外区域的吸收有所减少。
由于蒸汽和电子束互不干扰，因此可以抑制离解。

YF3熔点及红外光谱特性
在气相沉积之前 沉积过程中 沉积后
BS-60310BDS
BS-60310BDS 沉积前
BS-60310BDS 沉积进行中
BS-60310BDS沉积后
电子枪
电子枪沉积前
沉积过程中的电子枪
电子枪沉积后
*的利率控制
与电阻加热相比，使用BS-60310BDS可以更轻松地控制薄膜沉积过程中的速率。
薄膜沉积过程中，通过石英薄膜厚度控制器反馈控制铜沉积速率，*终
实现了稳定的沉积速率。
使用石英薄膜厚度控制器测定铜沉积速率