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GB6162-85《静态继电器及保护装置的电气干扰试验》GB7261-87《继电器及继电保护装置基本试验方法》GB2887-89《计算机站场地技术条件》GB 14258-93《继电保护和安全自动化装置技术规程》GB 50062-92《电力装置的继电保护和自动化装置设计规范》DL/T 527-2002《静态继电保护装置逆变电源技术》IE870-5-103《继电保护信息接口标准》GB /T15145-94《微机线路保护装置通用技术条件》GB/T16435.1-1996《远动设备及系统和接口(电气特征)》GB /T17626.2《静电放电抗扰度试验》GB /T17626.3《射频电磁场辐射抗扰度试验》GB/T17626.4《电快速瞬变脉冲群抗扰度试验》GB/T17626.5《浪涌冲击抗扰度试验》GB /T17626.6《射频场感应的传导骚扰抗扰度试验》GB/T17626.8《工频磁场抗扰度试验》GB /T17626-1998《电磁兼容试验和测量技术》GB/T14537-1993《量度继电器和保护装置的冲击与碰撞试验》
YB-CTB-3HZS-CT9VZH-ZCTB-d支持外扩512K×16位的SRAM和512K×16位的FLASH。具有两个事件管理器(EVA、EVB)以及外设中断模块(PIE),支持96个外部中断。主要使用在嵌入式控制应用,如数字电机控制(digitalmotorcontrol,DMC)、资料撷取及I/O控制(dataacquisitionandcontrol,DAQ)等领域。
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