MIYUKI 美幸辉 G‑J200｜JIS DN200 气动伺服真空控制蝶阀（气源驱动闭环）

原装现货供应：玉崎科学仪器（深圳）有限公司

负责人：林经理¹⁵⁸¹⁵⁵⁵099⁸ 

*：www.shashinkagaku.com

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型号释义

• G：G 系列 气动伺服调节蝶阀（气源驱动闭环，非电动）
• J：JIS B2290 日标法兰
• 200：公称通径 DN200（200A）

可定制更换法兰：ISO‑F、CF 刀口法兰；密封可选 Kalrez 全氟醚抗等离子腐蚀密封。

结构与工作原理

1. 驱动：纯气动伺服机构，无电机
   依靠 0.4‑0.6 MPa 洁净干燥无油压缩空气驱动；内置阀位反馈电位器，输出阀位信号，外接MGCS‑11 真空压力控制器组建完整 PID 闭环系统，自动调节蝶板开度稳定腔体工艺压力。
2. 安全机制：单作用弹簧复位，失气自动全关
   气源丢失弹簧强制关闭阀门，阻断泵组‑腔体通路，防止大气倒灌污染基板、晶圆，满足产线安全联锁。注意：无断电抱闸，失气直接全关，不能维持当前开度。
3. 薄大通导阀体
   薄型法兰面间尺寸，流导高，抽气阻力小；无流向限制，水平、垂直、倾斜任意角度均可安装。
4. 球面多点双向压紧密封
   正向、反向压差均可维持低泄漏；启闭摩擦小，低发尘，适配镀膜、等离子工艺洁净要求。
5. 出厂检测：百级洁净室装配，逐台氦质谱检漏。

完整技术参数

镀膜 / 刻蚀腔体典型应用场景

1. 光学 PVD、磁控溅射镀膜腔体

   作为主抽节流阀，搭配 MGCS‑11 + 电容薄膜规 PID 闭环，稳定溅射工艺压力，抑制压力波动，保障薄膜厚度均匀性，降低膜层针孔、色差不良。
2. 半导体中试刻蚀、ICP 等离子腔体

   用于研发机台、中试线刻蚀腔体排气调压；补偿进气、泵抽波动，稳定等离子工作压力。

⚠️ *制程 8/12 寸量产 Fab，对断电保开度、极低颗粒严苛工况，优先选用GAR‑J200B 电动伺服带抱闸型号；G‑J200 气源驱动适合中试、镀膜、面板产线。

1. 面板中小尺寸镀膜腔体、反应离子清洗腔体

   中等口径腔体排气节流，气源条件充足，不想布置电机线缆，简化设备布线。
2. 真空炉、锂电脱气腔体闭环稳压

   兼顾粗抽到高真空工艺段，失气弹簧全关保护工件。

标准闭环控制成套方案

选型区分（G‑J200 VS GAR‑J200B）

供货与选型提示

1. 供货状态：G‑J200 属于流通主力伺服阀，部分库存；特殊密封、CF 法兰版本日本原厂订货；可提供原厂规格书、氦检报告、CE 证书。
2. 选型避坑：请勿与普通开关蝶阀 B‑J200 混淆；B‑J200 仅开关，无开度调节功能，不能做闭环压力控制。

提示：市场存在翻新二手阀，采购务必核对本体铭牌及原厂检测资料。