本公司主要经营：西门子S72/3/400、S71200、S71500全系列，触摸屏6AV，DP接头，6XV总线电缆，通讯模块6GK系列，SITOP电源6EP系列。变频调速器MM4,6RA70,6RA80系列及各种附件板子6SE7090，C98043等系列，6SE70，MM4系列及变频调速器配件。数控伺服6SN,6FC,S120,G120。产品全新原装，质保一年

IGBT模块6SY7000-0AC771）CP341模块:6ES7341-1xH01-0AE0(x:=A:RS232;x:=B:TTY;x:=C:RS422/485)。对于SimaticPCS7过程控制系统，可使用的Sitop库来集成，包括工程块和SimaticWinCC预制面板。不能连接来自防爆区0的传感器/执行器。但可以直接连接来自防爆区1的传感器/执行器。

绝缘栅双极型晶体管 IGBT 是由 MOSFET 和双极型晶体管复合而成的一种器件 , 其输入极为 MOSFET, 输出极为 PNP 晶体管 , 因此 , 可以把其看作是 MOS 输入的达林顿管。它融和了这两种器件的优点 , 既具有 MOSFET 器件驱动简单和快速的优点 , 又具有双极型器件容量大的优点 , 因而 , 在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用。
在中大功率的开关电源装置中 ,IGBT 由于其控制驱动电路简单、工作频率较高、容量较大的特点 , 已逐步取代晶闸管或 GTO 。但是在开关电源装置中 , 由于它工作在高频与高电压、大电流的条件下 , 使得它容易损坏 , 另外 , 电源作为系统的前级 , 由于受电网波动、雷击等原因的影响使得它所承受的应力更大 , 故 IGBT 的可靠性直接关系到电源的可靠性。因而 , 在选择 IGBT 时除了要作降额考虑外 , 对 IGBT 的保护设计也是电源设计时需要重点考虑的一个环节。

IGBT：
1、可以等效为（或理解为）：场效应管与大功率三极管组成的复合管。
2、特性类似于场效应管。输入阻抗非常高，输出阻抗低，驱动功率非常小，主要是结电容引起的驱动电流、放大倍数高。
3、开关频率较高，耐压高、通流能力强（额定电流大）。
4、主要用于：变频器（逆变）、电磁炉，中、大功率逆变、氩弧焊机等、高频电源

IGBT模块FD300R12KE3
IGBT模块CM400HA-24A
IGBT模块FZ1200R16KF4_S1
IGBT模块6SY7000-0AC37
IGBT模块FZ1200R12KF5
IGBT模块6SY7000-0AC77
IGBT模块FF150R12KE3G
IGBT模块1MBI300SA-120B-52
IGBT模块1MBI200SA-120B-52
IGBT模块SKIIP 11NAB063T42
IGBT模块FF200R12KE3
IGBT模块BSM25GP120
IGBT模块FZ1000R12KF5
IGBT模块6SY7000-0AC80
IGBT模块6SY7000-0AD33
IGBT模块FZ1000R16KF4
IGBT模块6SY7000-0AD04
IGBT模块6SY7000-0AC85
IGBT模块SKM200GB128D
IGBT模块FZ2400R17KE3

IGBT模块6SY7000-0AC77请注意，输入电压允许的长期*值为12V，短暂(*多1秒)值为30V。 3维护 3.1日常维护 3.1.1巡回检查 1.检查环境温度、湿度是否在规定的范围内。具有MPI接口或一个组合MPI/DP接口的CPU只在全部复位之前保留接口所采用的当前地址和波特率。

IGBT 的等效电路如图 1 所示。由图 1 可知 , 若在 IGBT 的栅极和发射极之间加上驱动正电压 , 则 MOSFET 导通 , 这样 PNP 晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通 ; 若 IGBT 的栅极和发射极之间电压为 0V, 则 MOSFET 截止 , 切断 PNP 晶体管基极电流的供给 , 使得晶体管截止
由此可知 ,IGBT 的安全可靠与否主要由以下因素决定：
—— IGBT 栅极与发射极之间的电压 ;

如果 IGBT 栅极与发射极之间的电压 , 即驱动电压过低 , 则 IGBT 不能稳定正常地工作 , 如果过高过栅极－发射极之间的耐压则 IGBT 可能*性损坏 ; 同样 , 如果加在 IGBT 集电极与发射极允许的电压过集电极－发射极之间的耐压 , 流过 IGBT 集电极－发射极的电流过集电极－发射极允许的*电流 ,IGBT 的结温过其结温的允许值 ,IGBT 都可能会*性损坏。

IGBT模块6SY7000-0AC77在S7-300F的中央机架上，可以混合使用防错和非防错（标准）数字E/A模块。为此，就像在ET200M中一样，需要一个隔离模块(MLFB:6ES7195-7KF00-0XA0)，用来在中央和扩展机架中隔离防错模块和标准模块。 ③、PID控制器模块：根据给定值及采样参数的大小，实施控制功能，手/自动的切换的处理也由该模块完成。

2  保护措施
在进行电路设计时 , 应针对影响 IGBT 可靠性的因素 , 有的放矢地采取相应的保护措施。
2 ． 1 IGBT 栅极的保护
IGBT 的栅极－发射极驱动电压 VGE 的保证值为 ± 20V, 如果在它的栅极与发射极之间加上出保证值的电压 , 则可能会损坏 IGBT, 因此 , 在 IGBT 的驱动电路中应当设置栅压限幅电路。另外 , 若 IGBT 的栅极与发射极间开路 , 而在其集电极与发射极之间加上电压 , 则随着集电极电位的变化 , 由于栅极与集电极和发射极之间寄生电容的存在 , 使得栅极电位升高 , 集电极－发射极有电流流过。这时若集电极和发射极间处于高压状态时 , 可能会使 IGBT 发热甚至损坏。如果设备在运输或振动过程中使得栅极回路断开 , 在不被察觉的情况下给主电路加上电压 , 则 IGBT 就可能会损坏。为防止此类情况发生 , 应在 IGBT 的栅极与发射极间并接一只几十 k Ω 的电阻 , 此电阻应尽量靠近栅极与发射极。如图 2 所示。
由于 IGBT 是功率 MOSFET 和 PNP 双极晶体管的复合体 , 特别是其栅极为 MOS 结构 , 因此除了上述应有的保护之外 , 就像其他 MOS 结构器件一样 ,IGBT 对于静电压也是十分敏感的 , 故而对 IGBT 进行装配焊接作业时也必须注意以下事项：

2  集电极与发射极间的过压保护
过电压的产生主要有两种情况 , 一种是施加到 IGBT 集电极－发射极间的直流电压过高 , 另一种为集电极－发射极上的浪涌电压过高。
2.2.1  直流过电压
直流过压产生的原因是由于输入交流电源或 IGBT 的前一级输入发生异常所致。解决的办法是在选取 IGBT 时 , 进行降额设计 ; 另外 , 可在检测出这一过压时分断 IGBT 的输入 , 保证 IGBT 的安全。
2.2.2  浪涌电压的保护
因为电路中分布电感的存在 , 加之 IGBT 的开关速度较高 , 当 IGBT 关断时及与之并接的反向恢复二极管逆向恢复时 , 就会产生很大的浪涌电压 Ldi/dt, 威胁 IGBT 的安全。

IGBT模块6SY7000-0AC77五.检查只读参数FM353(MLFBNo.6ES7353-1AH01-0AE0)和FM354(MLFBNo.6ES7354-1AH01-0AE0)可以不用PG就进行更换。

接线方法6SE7031-0EE84-1BH0：