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河南铅门定制公司

发布时间:2021/09/14 10:06:07 发布厂商:山东鑫凯达金属制品有限公司 >> 进入该公司展台

河南铅门定制公司

防辐射铅门的技术特点 
1、表面采用热熔镀锌钢板或不锈钢,不易生锈,门内补强采用t1.6热熔镀锌钢板,强度高,不易变形; 
2、高品质的门框密封结构及密封材料保证*的隔音、减震效果。 
3、高压静电粉末喷涂或不锈钢饰面,满足不同色彩需求; 
4、在满足防护功能的基础上,同时可达到抗静电、,且持久保新。 
5、门框与门扇分体,采用重型不锈钢铰链连接,便于门框与门扇分开安装,且维修方便;铰链可开启20万次以上; 
6、开启灵活、跨度大、自重轻、无噪音、隔音、操作方便、运行平稳、不易损坏等特点。

7、门控选用可编程控制器及变频电路,可按照客户使用的特殊要求设计。具有多功能选择开关,可随意控制自动门运行状态。门扇开启途中,如遇障碍物即停止,门扇关闭途中,如遇障碍物则方向开启,防止意外状况的发生,断电可手动开启。

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防辐射门经销商 
本公司以诚信经营为公司理念在吉林,长春,四平,松原,白城,辽源,通化,白山,延边,梅河口,岭等地卖口腔CBCT室防辐射门铅门防辐射门,铅屏风,欢迎广大客户前来购买,洽谈合作。

防辐射门介绍(铅当量)分为:1mmpb防辐射门,2mmpb防辐射门,3mmpb防辐射门,4mmpb防辐射门等等。(铅当量可根据客户要求定做)。 防辐射门根据安装科室不同分别被叫为:牙科防辐射门,CT室防辐射门,X光室防辐射门,DR室防辐射门,放射科防辐射门,钼靶室防辐射门,牙科CT室防辐射门,口腔CT室防辐射门,DSA室防辐射门,手术室防辐射门,工业防辐射门,工业探伤防辐射门等。
X射线防护的三种防护要素 辐射防护的要素主要有三方面,时刻防护、间隔防护和防护,俗称为辐射防护的三大办法。

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防护要素
1、距离防护

距离防护是外部辐射防护的一种有用办法:选用间隔防护的射线基本原理是首先将辐射源是作为点源的情况下,辐射场中某点的照耀量、吸收剂量均与该点和源的间隔的平方成反比,我们把这种规则称为平方反比定律,即辐射强度随间隔的平方成反比改变,增加射线源与之间的间隔便可削减剂量率或照耀量,或者说在一定间隔以外作业,使人们遭到的射线剂量在很高允许剂量以下,就能保证人身安全,然后到达防护意图,间隔防护的关键是尽量增大与射线源的间隔;

2、时刻防护

时刻防护的原理是:在辐射场内的人员受照耀的累积剂量与时刻成正比,因此在照耀率不变的情况下,缩短照耀时刻便可削减承受的剂量,或者人们在限定的时刻内作业,就可能使他们遭到的射线剂量在很高允许剂量以下,保证人身安全,然后到达防护意图, 时刻防护的关键是尽量削减与射线的触摸时刻;

3、防护 
防护的原理是:射线包含穿透物质时强度会削弱,一定厚度的物质能削弱射线的强度,在辐射源与之间设置足够厚的物,便可下降辐射水平,使人们在作业遭到的剂量下降很高允许剂量以下,保证人身安全,到达防护意图,防护的关键是在射线源与之间放置一种能有用吸收射线的材料。

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本公司从事生产销售防辐射铅门,防辐射铅板,硫酸钡砂,硫酸钡板,铅玻璃,铅屏风,手术气密门,铅丝,铅管,铅棒,铅砖,铅锭等,拥有*的施工队伍,能够对操作间进行*施工。自开业以来我公司为广大客户服务,博得了大家的一致好评。

铅板的特性:具有很强的防腐蚀,耐酸碱,耐酸环境施工、医用防辐射,X光,CT室射线防护、加重、隔音等许多方面,而且是一种比较廉价的防辐射材料。 

防辐射铅门的技术特点 
1、表面采用热熔镀锌钢板或不锈钢,不易生锈,门内补强采用t1.6热熔镀锌钢板,强度高,不易变形; 
2、高品质的门框密封结构及密封材料保证*的隔音、减震效果。 
3、高压静电粉末喷涂或不锈钢饰面,满足不同色彩需求; 
4、在满足防护功能的基础上,同时可达到抗静电、,且持久保新。 
5、门框与门扇分体,采用重型不锈钢铰链连接,便于门框与门扇分开安装,且维修方便;铰链可开启20万次以上; 
6、开启灵活、跨度大、自重轻、无噪音、隔音、操作方便、运行平稳、不易损坏等特点。

7、门控选用可编程控制器及变频电路,可按照客户使用的特殊要求设计。具有多功能选择开关,可随意控制自动门运行状态。门扇开启途中,如遇障碍物即停止,门扇关闭途中,如遇障碍物则方向开启,防止意外状况的发生,断电可手动开启。

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河南铅门定制公司LED日光灯电源发热到一定程度会导致烧坏,关于这个问题,也见到过有人在行业论坛发过贴讨论过。本文将从芯片发热、功率管发热、工作频率降频、电感或者变压器的选择、LED电流大小等方面讨论LED日光灯电源发热烧坏MOS管技术。芯片发热本次内容主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片。假如芯片消耗的电流为2mA,300V的电压加在芯片上面,芯片的功耗为0.6W,当然会引起芯片的发热。驱动芯片的电流来自于驱动功率MOS管的消耗,简单的计算公式为I=cvf(考虑充电的电阻效益,实际I=2cvf,其中c为功率MOS管的cgs电容,v为功率管导通时的gate电压,所以为了降低芯片的功耗,必须想办法降低v和f.如果v和f不能改变,那么请想办法将芯片的功耗分到芯片外的器件,注意不要引入额外的功耗。

铅门定制
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