随着加工工艺尺寸的日益缩小，“软”误差对存储器件的影响已经从原先的“无关紧要”演变成为系统设计中需要加以认真考虑的重要事项。赛普拉斯等SRAM售主已经在工艺开发和产品设计当中采取了相应的对策，以求*限度地降低器件对SER的敏感度，并由此将SRAM的应用范围扩展到远远小于90nm的工艺几何尺寸。凭借在系统设计和产品设计水平的正确对策，SRAM仍将是多代工艺中一种可行的存储器解决方案。
Produits au standard VME
ICV107/20     CARTE VME MAITRE ACQUISITION RAPIDE 16MHz 2048K. mesures/s 
 
ICV108        CARTE VME MAITRE ACQUISITION RAPIDE 64 BITS Buffers de 2M. mesures/s 
 
ICV110/IBC   CARTE COUPLEUR ICV150 48 E.ANA. ISOLEES BOUCLE DE COURANT R=250Ohms 
 
ICV110/ID    CARTE COUPLEUR ICV150 48 E.ANA. ISOLEES DIFFERENTIELLES 
 
ICV117/BU    CARTE COUPLEUR /ICV150 16 E. ANA. FILTRE BUTHERWORTH; 32 E/S DIGITALES 
 
ICV118/HC     M10V/FC=80H CARTE COUPLEUR ICV10x 32 ENTREES ANA. 16 bits ±10 V HAUT MODE COMMUN FC=80Hz ACQ. 50μs 
 
ICV118/RTD-CEA     CARTE COUPLEUR ICV10x 16 ENTREES ANA. 16 bits SONDE DE TINE 
 
ICV118/VLL     CARTE COUPLEUR ICV10x 32 ENTREES ANA. 16 bits ±10.24 mVolts 
 
ICV120/D-12/4/106-I    CARTE COUPLEUR ICV10x 48 E.ANA. ISOLEES 12 bits G1 à 8 100K.ACQ./s ±0.05 % PE