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京都玉崎日本直供滨松光子InAs 光伏元件InGaAs APD G15978-0020P
2026/01/04 16:29:25
近红外探测元件，装在表面安装的COB封装中。
InGaAs APD采用表面贴装COB（芯片板载）封装。
与之前的金属封装类型（G14858-0020AA）相比，它体积明显更小，适合安装在手持设备和移动设备上。
■特点
・低暗电流
・低电容
·高灵敏度
·小尺寸：1.6毫米 × 0.8毫米 ×0.7毫米
·无铅回流焊接
规格
| 接收光的表面尺寸 | φ0.2毫米 |
|---|---|
| 包装 | 玻璃环氧树脂 |
| 封装类别 | 表面贴装 |
| 灵敏度波长范围 | 950 nm ~ 1700 nm |
| *灵敏度波长类型 | 1550 nm |
| 光敏感类型。 | 0.8 空军/战役 |
| 暗电流上限。 | 50 nA |
| 破频类型。 | 900 MHz |
| 终端到终端容量类型。 | 2.0 pF |
| 击穿电压类型。 | 65 V |
| 击穿电压温度系数类型。 | 0.1 V/°C |
| 测量条件 | Ta=25°C，灵敏度：λ=1.55微米，M=1 |
京都玉崎日本直供滨松光子InAs 光伏元件InGaAs APD G15978-0020P
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