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首页 >山金工业(深圳)有限公司> 技术文章> 日本 ESPEC 爱斯佩克 AMM-W 晶圆级半导体参数测试系统
日本 ESPEC 爱斯佩克 AMM-W 晶圆级半导体参数测试系统
2026/08/11 09:03:34
特征
批量处理多个被测器件
同时对封装级的 108 个 SMU 和晶圆级的 324 个 SMU 施加应力并进行测量。
DUT 流程数
* 执行 TDDB 评估需要额外的软件(可选)。
高精度电压和电流应用与测量
多功能SMU的精度范围为2个电压和9个电流,精度为±50V/±100mA,该系统可以应用和测量宽范围,分辨率为1mV/1pA。
FET单晶体管特性支持TDDB评估
利用双端(漏极/栅极)和四端(漏极/栅极/基极/源极)设置,FET 单个晶体管可以评估 IV 特性、HCI 和 NBTI。
此外,可选的 TDDB 评估软件可用于评估 TDDB、TZDB、SBD、QDB、IV、BDV 等特性。
使用软件更改引脚分配
按机柜(36 个 SMU × 3 组)更改端子设置。此外,还可以更改每个多 SMU 应用中相同数量端子的焊盘布局,从而在保持探针保护罩不变的情况下更改引脚分配。
避免静电击穿
为避免人体静电干扰,采用短连接器以防止FET损坏。DUT板上的线路与插座源极之间设有保护装置,以避免受到电噪声干扰。(封装级评估)
批量处理多个被测器件
同时对封装级的 108 个 SMU 和晶圆级的 324 个 SMU 施加应力并进行测量。
DUT 流程数
* 执行 TDDB 评估需要额外的软件(可选)。
高精度电压和电流应用与测量
多功能SMU的精度范围为2个电压和9个电流,精度为±50V/±100mA,该系统可以应用和测量宽范围,分辨率为1mV/1pA。
FET单晶体管特性支持TDDB评估
利用双端(漏极/栅极)和四端(漏极/栅极/基极/源极)设置,FET 单个晶体管可以评估 IV 特性、HCI 和 NBTI。
此外,可选的 TDDB 评估软件可用于评估 TDDB、TZDB、SBD、QDB、IV、BDV 等特性。
使用软件更改引脚分配
按机柜(36 个 SMU × 3 组)更改端子设置。此外,还可以更改每个多 SMU 应用中相同数量端子的焊盘布局,从而在保持探针保护罩不变的情况下更改引脚分配。
避免静电击穿
为避免人体静电干扰,采用短连接器以防止FET损坏。DUT板上的线路与插座源极之间设有保护装置,以避免受到电噪声干扰。(封装级评估)
从封装级到晶圆级的支持
随着晶圆直径增大、尺寸缩小、集成度提高,单晶体管的可靠性测试变得日益重要。
该系统能够测量高精度电压电流应用和场效应晶体管(FET)单晶体管的电特性及其连续变化,并将数据采集到计算机进行监控,并执行其他集中管理任务。
主要规格
| 模型 | AMM-C(封装级) | AMM-W(晶圆级) |
|---|---|---|
| 测量程序 | FET单单元晶体管测量库,48种类型 | |
| 温度控制 | 温度箱(ESPEC 台式温度(和湿度)箱 SU-662) | 全自动、半自动、手动探针(请联系我们了解制造商信息) |
| 温度控制范围 -60 至 +150°C | ||
| SMU表现 | 电压±50V / 电流±100mA | |
| DUT连接 |
被测设备板(6 个插座) ・DIP600mil,28 引脚 ・DIP300mil,16 引脚 选择 |
定位 探针卡(用于高温、微电流) * 根据布局而定。 |

