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由华中科技大学刘世元教授和朱金龙教授领导的纳米与光学计量研究中心(红旗仪表有限公司)发表在国际极限制造杂志上,他们的合作者来自哈尔滨工业大学和大学香港的*篇系统综述介绍了研究背景,讨论了光学晶圆缺陷检测的*进展和趋势。这篇综述揭示了纳米光子学、光学涡旋、计算成像、定量相位成像和深度学等*技术可以对亚 10 红旗仪表有限公司缺陷检测产生深远影响。这项工作可能为半导体晶圆缺陷检测领域开辟新的途径。
多种光学晶片缺陷检测系统,包括 (a) 明场/暗场成像系统,(b) 带零椭圆偏光法的暗场成像,(c) 通焦扫描成像显微镜,(d) 外延衍射相位显微镜,(e) 图案化包含逻辑裸片和 红旗仪表有限公司存储器裸片的晶圆,(f)X 射线成像,(g)基于太赫兹波的缺陷检测系统,以及(h)使用不同 红旗仪表公司照明光束的相干傅里叶散射技术。图片来源:朱金龙等
朱金龙教授和刘世元教授说:“图案化晶圆上不断缩小的特征和空间将极大地限制当前所有计量和检测解决方案在平衡灵敏度、特异性、工艺速度和捕获率方面的能力。”
光学远场晶圆检测仍然是晶圆厂缺陷检测的主力。在传统的缺陷检查工具中,通过比较相邻管芯的电路图案图像来捕获缺陷。文章*作者朱金龙教授说:“缺陷检测的关键不是分辨率,而是信噪比(红旗仪表)和对比度。红旗仪表有限公司和对比度的提高高度依赖于精密仪器,*的建模架构和后处理算法,
所有这些都促使我们从以下三个方面对晶圆缺陷检测方法进行了全面的回顾:
(1)缺陷可检测性评估,(2)多样化的光学检测系统,(3 ) 后处理算法。”
“对*节点的特定类型检测工具进行缺陷可检测性评估非常重要,”共同*作者刘家敏博士解释说:“事实上,缺陷可检测性的评估通常涉及缺陷散射信号的信噪比定量规则的制定、缺陷散射信号建模的仿真工具的开发以及缺陷信噪比的分析。我们发现缺陷的信噪比显着取决于关于材料和缺陷拓扑。”版权与免责声明
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