电参数测试

分立器件静态参数测试（DC）

执行标准：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、

GB/T 29332-2012、GJB128B-2021

试验对象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件；

检测能力：检测*电压：2000V 检测*电流：200A；

试验参数：

漏电参数：IR、ICBO、ICEO、IDSS、IDOFF、IDRM、 IRRM、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、 IGSSR；

击穿参数：BVCEO、BVCES、BVDSS、BVCBO、VDRM、 VRRM、BVR、BVZ、BVEBO、BVGSS；

导通参数：VCESAT、VBESAT、VBEON、VF、VGSTH、VGETH、VTM；

关断参数：VGSOFF

触发参数：IGT、VGT

保持参数：IH、IH+、IH-

锁定参数：IL、IL+、IL-

混合参数：RDSON、GFS

I-V曲线扫描

ID vs.VDS at range of VGS

ID vs.VGS at fixed VDS

IS vs.VSD

RDS vs.VGS at fixed ID

RDS vs.ID at several VGS

IDSS vs.VDS

HFE vs.IC

BVCE（O,S,R,V） vs.IC

BVEBO vs.IE

BVCBO vs.IC

VCE（SAT） vs.IC

VBE（SAT） vs.IC

VBE（ON） vs.IC （use VBE test）

VCE（SAT） vs.IB at a range of ICVF vs. IF

功率模块静态参数测试（DC）

执行标准：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、

GB/T 29332-2012；

试验对象：DIODE、IGBT、MOSFET、SCR、整流桥等功率；

试验能力：检测*电压：7000V，检测*电流：5000A

试验参数：

漏电参数：IR、ICBO、ICEO、IDSS、IDOFF、IDRM、 IRRM、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、 IGSSR；

击穿参数：BVCEO、BVCES、BVDSS、BVCBO、VDRM、 VRRM、BVR、BVZ、BVEBO、BVGSS；

导通参数：VCESAT、VBESAT、VBEON、VF、VGSTH、VGETH、VTM；

关断参数：VGSOFF

触发参数：IGT、VGT

保持参数：IH、IH+、IH-

锁定参数：IL、IL+、IL-

混合参数：RDSON、GFS

开关特性测试（Switch）

执行标准：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、

GB/T 29332-2012；

试验对象：MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及模块；

试验能力：检测*电压：4500V 检测*电流：5000A

试验参数：开通/关断时间ton/toff、上升/下降时间tr/tf、开通/关断延迟时间td(on)/td(off)、开通/关断损耗Eon/Eoff、电流尖峰Ic-peak max、电压尖峰Vce-peak max、电压变化率dv/dt、电流变化率di/dt；

反向恢复测试（Qrr）

执行标准：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、

GB/T 29332-2012；

试验对象：DIODE、MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及模块；

试验能力：检测*电压：4500V 检测*电流：5000A

试验参数：反向恢复电荷Qrr、反向恢复电流Irm、反向恢复时间Trr、反向恢复电流变化率diF/dt、反向恢复损耗Erec；

栅极电荷（Qg）

执行标准：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、

GB/T 29332-2012；

试验对象：MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及模块；；

试验能力：检测*电压：4500V 检测*电流：5000A

试验参数：栅极电荷Qg、漏极电荷Qgs、源极电荷Qgd；

短路耐量（SCSOA）

执行标准：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、

GB/T 29332-2012；

试验对象：DIODE、MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及IGBT模块器件；

试验能力：检测*电压：4500V 检测*电流：10000A

试验参数：短路电流Isc、短路时间Tsc、短路能量Esc；

结电容（Cg）

执行标准：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、

GB/T 29332-2012；

试验对象：MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及模块；

试验能力：频率：0.1-1MHz、检测*电压：1500V；

试验参数：输入电容Ciss、输出电容Coss、反向传输电容Cres；

C-V曲线扫描

输入电容Ciss-V；

输出电容Coss-V；

反向传输电容Cres-V；

栅极电阻（Rg）

执行标准：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、

GB/T 29332-2012；

试验对象：DIODE、MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及IGBT模块器件；

试验能力：检测*电压：1500V；

试验参数：栅极等效电阻Rg

极限能力测试

正向浪涌电流测试

执行标准：MIL-STD-750，IEC60747，客户自定义；

试验对象：DIODE（Si/SiC）、整流桥、SCR、IGBT；

试验能力：检测*电流：10000A，10ms/8.3ms正弦半波，100us/1ms/10ms方波。

试验参数：浪涌电流IFSM/ITSM、i²t

雷击浪涌

非标

雪崩耐量测试（UIS）

执行标准：MIL-STD-750，IEC60747，客户自定义；

试验对象：MOSFET、IGBT、DIODE，第三代半导体器件等单管器件；

试验能力：检测*电压：4500V，检测*电流：200A

试验参数：雪崩能量EAS

介电性测试

执行标准：GB/T 42125.10-2022、IEC 60243、GB 4793.1-2007；

试验对象：Si、SiC·MOSFET；

试验能力：检测*电压：4500V，检测*电流：200A

功率老炼

高温反偏试验（HTRB）

执行标准：GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、EIAJED-4701100、AEC-Q101, 。

试验对象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模块；

试验能力：温度*150℃；电压*5000V；

高温栅偏试验（HTGB）

执行标准：GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、

EIAJ ED-4701100 、AEC-Q101、 。

试验对象：MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模块；

试验能力：温度*150℃；电压*100V；

高温高湿反偏试验（H3TRB）

执行标准：GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、

EIAJ ED-4701100 、AEC-Q101、 。

试验对象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模块；

试验能力：温度85℃，湿度范围：25%~95%，电压*4500V；

功率老炼测试

试验对象：IGBT、TVS、压敏电阻VDR；

试验能力：检测*电压：4500V，检测*电流：200A

间歇寿命试验（IOL）

执行标准：GJB128、MIL-STD-750、 ；

试验对象：DIODE、BJT、MOSFET、IGBT及SiC器件等分立器件；

检测能力：ΔTj≧100℃ 电压*60V，电流*50A。

功率循环试验（PC）

执行标准：GJB128、MIL-STD-750、 ；

试验对象：IGBT模块；

检测能力：ΔTj=100℃，电压*30V，电流*1800A；

热阻测试（Riath）

执行标准：JESD51-1、JESD51-14、JESD24-3、JESD24-4、JESD24-6；

试验对象：各类二极管；

试验能力：瞬态热阻、稳态热阻

失效分析

X-ray

◆ 人机工程学设计

◆ 编程CNC检测及选配旋转工装

◆ 可实时追踪、目标点定位

◆ 高分辨率FPD获高质量图像

◆ 配置大载物台及桌面检测区域

◆ X射线源：

*输出功率：8W

光管类型：封闭式

管电压：90kV

焦点尺寸：5μm

环境老炼

高温存储试验（HTSL）

执行标准：MIL-STD-750，GB/T 2423.2-2008、GJB548、 ；

试验对象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模块及其他电子产品；

试验能力：温度*220℃；

低温存储试验（LTSL）

执行标准：GJB548、GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、EIAJ ED-4701100 、AEC-Q101、 ；

试验对象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模块及其他电子产品；

试验能力：温度*低-70℃。

高低温循环试验（TC）

执行标准：GJB548、GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、EIAJ ED-4701100 、AEC-Q101、 ；

试验对象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模块及其他电子产品；

试验能力：温度范围：-40℃~175℃。

温度冲击试验

执行标准：GJB548、GJB 150-86、GB 2423、MIL-STD-810H、IEC60068-2-14；

试验对象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模块及其他电子产品；

试验能力：温度范围：-70℃~220℃。

高温蒸煮试验（PCT）

执行标准：GB/T 4937.4-2012‌、JESD22-A110D-2010‌

IPC/JEDECJ-STD-020D.1-2008‌；

试验对象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模块及其他电子产品；

试验能力：‌温度范围‌：105℃到142.9℃之间；湿度范围‌： 75%到*RH。

压力范围‌：0.02MPa到0.186MPa。

可焊性试验

执行标准：MIL-STD-202G、MIL-STD-883G、GB2423、IEC60068；

试验对象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模块及其他电子产品；

振动试验

执行标准：GJB 150.25-86、GB-T 4857.23-2003、GBT4857.10-2005；

试验对象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模块及其他电子产品；

试验方法：模拟产品在运输、安装及使用环境下所遭遇到的各种振动环境影响，主要用于评定元器件、零部件及整机在预期的运输及使用环境中的抵抗能力，以了解产品的耐振寿命和性能指标的稳定性。

盐雾试验

执行标准：GB/T2423.17—2008、GB/T2423.18—2000、GB5938—86；

试验对象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模块及其他电子产品；

试验方法：通过人工模拟盐雾环境条件来考核产品或金属材料耐腐蚀性能的环境试验。一般用于对材料(表面镀层)或表面处理工艺进行评价、筛选、对比，确定产品中潜在问题的区域和部位,发现质量控制的不足,寻找设计缺陷等。